高精度半絕緣碳化硅方阻測(cè)試儀

半絕緣碳化硅的方阻、電阻率范圍通常在10?—10¹²Ω·cm之間，具體數(shù)值取決于材料純度、摻雜工藝及測(cè)量方法。以下是關(guān)鍵信息：電阻率范圍標(biāo)準(zhǔn)范圍：10?—10¹²Ω·cm（直徑50.8—200mm、厚度250—5000μm的半絕緣碳化硅單晶片）

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更新時(shí)間：2025-11-22
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半絕緣碳化硅的方阻、電阻率范圍通常在10?—1012Ω·cm之間，具體數(shù)值取決于材料純度、摻雜工藝及測(cè)量方法。以下是關(guān)鍵信息：電阻率范圍標(biāo)準(zhǔn)范圍：10?—1012Ω·cm（直徑50.8—200mm、厚度250—5000μm的半絕緣碳化硅單晶片.隨著第三代半導(dǎo)體碳化硅在5G通信、GaN HEMT器件等領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用，行業(yè)對(duì)材料性能檢測(cè)的統(tǒng)一性需求日益突出。該標(biāo)準(zhǔn)的制定解決了原有測(cè)試方法不統(tǒng)一的問題，為研發(fā)、生產(chǎn)及應(yīng)用環(huán)節(jié)提供了規(guī)范化技術(shù)支撐.

SiC是繼第一代以Si為代表的半導(dǎo)體材料和以砷化鎵為代表的第二代半導(dǎo)體材料之后的第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料，由于自身的物理性能的優(yōu)勢(shì)，碳化硅作為襯底材料在物理?xiàng)l件下具有得天獨(dú)厚的優(yōu)勢(shì)，特別在高溫、高頻、強(qiáng)磁場(chǎng)、抗輻射等方面顯示出獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)。

高純半絕緣SiC襯底在通信領(lǐng)域有大量應(yīng)用，同時(shí)，高純半絕緣SiC襯底作為GaN HEMT微波功率器件的關(guān)鍵襯底材料，具有重要的軍事意義。隨著5G時(shí)代到來，以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)為代表的第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料將迎來發(fā)展機(jī)遇。

高純半絕緣SiC襯底電阻率的大小及分布的均勻性是影響器件質(zhì)量的關(guān)鍵參數(shù)。因此，準(zhǔn)確測(cè)量SiC襯底電阻率，對(duì)改進(jìn)襯底制備工藝及器件電學(xué)性能具有重要的意義。研究高純半絕緣SiC電阻率非接觸測(cè)量方法，統(tǒng)一行業(yè)內(nèi)測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)，對(duì)SiC相關(guān)行業(yè)之間交流及發(fā)展具有重大推動(dòng)作用。

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