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與當(dāng)前市場(chǎng)上成熟且廣泛應(yīng)用的硅基半導(dǎo)體不同，化合物半導(dǎo)體是由三五族 (Group III and V)、二六族 (Group II and VI) 或同樣來源于第四族 (Group IV) 的兩個(gè)及以...

與當(dāng)前市場(chǎng)上成熟且廣泛應(yīng)用的硅基半導(dǎo)體不同，化合物半導(dǎo)體是由三五族 (Group III and V)、二六族 (Group II and VI) 或同樣來源于第四族 (Group IV) 的兩個(gè)及以...

TCO導(dǎo)電玻璃是一種在玻璃表面通過物理或化學(xué)方法鍍上一層透明導(dǎo)電氧化物薄膜的功能材料，主要成分為氟摻雜氧化錫（SnO2:F），具有透光導(dǎo)電特性。其核心性能指標(biāo)包括透光率與方阻值的綜合參數(shù)FTC值，需滿...

TCO導(dǎo)電玻璃是一種在玻璃表面通過物理或化學(xué)方法鍍上一層透明導(dǎo)電氧化物薄膜的功能材料，主要成分為氟摻雜氧化錫（SnO2:F），具有透光導(dǎo)電特性。其核心性能指標(biāo)包括透光率與方阻值的綜合參數(shù)FTC值，需滿...

非接觸霍爾測(cè)試儀是一種基于霍爾效應(yīng)原理設(shè)計(jì)的測(cè)量設(shè)備，主要用于檢測(cè)磁場(chǎng)強(qiáng)度、電流、位移等物理量，而無需與被測(cè)物體直接接觸，其核心部件是霍爾傳感器，通過感應(yīng)磁場(chǎng)變化輸出電信號(hào)，具有高精度、快速響應(yīng)和抗干...

非接觸霍爾測(cè)試儀是一種基于霍爾效應(yīng)原理設(shè)計(jì)的測(cè)量設(shè)備，主要用于檢測(cè)磁場(chǎng)強(qiáng)度、電流、位移等物理量，而無需與被測(cè)物體直接接觸，其核心部件是霍爾傳感器，通過感應(yīng)磁場(chǎng)變化輸出電信號(hào)，具有高精度、快速響應(yīng)和抗干...

載流子壽命就是指非平衡載流子的壽命。而非平衡載流子一般也就是非平衡少數(shù)載流子（因?yàn)橹挥猩贁?shù)載流子才能注入到半導(dǎo)體內(nèi)部、并積累起來，多數(shù)載流子即使注入進(jìn)去后也就通過庫侖作用而很快地消失了），所以非平衡載...

手持式電阻測(cè)試儀是用于現(xiàn)場(chǎng)快速測(cè)量電阻值的便攜設(shè)備，適用于電力、工業(yè)及電池檢測(cè)等領(lǐng)域?，其核心功能包括絕緣電阻、直流電阻或回路電阻的精準(zhǔn)測(cè)量，測(cè)量范圍覆蓋微歐級(jí)（μΩ）至兆歐級(jí)（MΩ），精度可達(dá)
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是基于渦流傳感器和紅外光致光電導(dǎo)方法直接測(cè)量單晶或者多晶硅棒體少子壽命的設(shè)備，具有瞬態(tài)和準(zhǔn)穩(wěn)態(tài)兩種測(cè)量模式。該設(shè)備可探測(cè)3mm 深度范圍少子壽命，并能輸出不同載流子注入水平下的少子壽命值，可實(shí)現(xiàn)低電阻...

“方阻霍爾遷移率”這一表述通常指的是在半導(dǎo)體材料電學(xué)特性測(cè)量中，同時(shí)或關(guān)聯(lián)地獲取?方塊電阻（方阻）?和?霍爾遷移率?這兩個(gè)關(guān)鍵參數(shù)。它們是表征材料導(dǎo)電性能的核心指標(biāo)，常通過霍爾效應(yīng)測(cè)量技術(shù)聯(lián)合獲得。?...

在太陽能電池的沉積工藝中，制備高性能的ITO薄膜是其首要任務(wù)。電池廠商在制備ITO薄膜時(shí)，往往需要考慮自身的方阻與影響ITO薄膜方阻的因素，從而在了解的基礎(chǔ)上更好的解決對(duì)ITO薄膜方阻有不利影響的因素...

公司生產(chǎn)的一款專業(yè)用于測(cè)量硅片等半導(dǎo)體材料少子壽命的測(cè)試儀器，?廣泛應(yīng)用于太陽能電池制造、半導(dǎo)體材料質(zhì)量評(píng)估及工藝監(jiān)控領(lǐng)域?。其核心功能是通過準(zhǔn)穩(wěn)態(tài)光電導(dǎo)（QSSPC）和瞬態(tài)光電導(dǎo)技術(shù)，精確測(cè)量少數(shù)載...